技术参数/正向电压: 1.00 V
技术参数/漏源极电阻: 0.18 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/漏源击穿电压: 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 18A
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220
外形尺寸/长度: 10 mm
外形尺寸/高度: 15 mm
外形尺寸/封装: TO-220
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF640NSPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 13A 至 19A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF640NSTRLPBF
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Infineon/英飞凌 | 功能相似 | TO263 |
INFINEON IRF640NSTRLPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
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IRF640NSTRRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 200V 18A
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