技术参数/漏源极电阻: 300 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 75.0 W
技术参数/产品系列: IRF9130
技术参数/漏源极电压(Vds): -100 V
技术参数/漏源击穿电压: -100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -11.0 A
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6804
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
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2N6804
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
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2N6804
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
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IRF9130
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
INFINEON IRF9130 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
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JANTX2N6804
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin(2+Tab) TO-3
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