技术参数/耗散功率： | 4 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/上升时间： | 140 ns |
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技术参数/额定功率(Max)： | 75 W |
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技术参数/下降时间： | 140 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 4W (Ta), 75W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-204 |
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外形尺寸/封装： | TO-204 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6804
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
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2N6804
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
|
||
2N6804
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA,
|
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|
IRF9130
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
INFINEON IRF9130 晶体管, MOSFET, P沟道, 11 A, -100 V, 300 mohm, -10 V, -4 V
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JANTX2N6804
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-204 |
Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3Pin(2+Tab) TO-3
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