技术参数/击穿电压: 40.0 V|40 V
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 30 Ω
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/输入电容(Ciss): 14pF @20V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSR57,215
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET，NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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BSR58
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR58 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET
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BSR58
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR58 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET
|
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BSR58
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSR58 晶体管, JFET, JFET, 40 V, 8 mA, 80 mA, 4 V, SOT-23, JFET
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MMBFJ202
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ202. 晶体管, JFET, 40V, 3-SOT-23
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MMBFJ202
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ202. 晶体管, JFET, 40V, 3-SOT-23
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