技术参数/额定电压(DC): 40.0 V
技术参数/额定电流: 50.0 mA
技术参数/击穿电压: 40.0 V|40 V
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 40.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.40 mA
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/高度: 0.93 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MMBFJ202
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
MMBFJ202 系列 40 V 4.5 mA N 沟道 通用 放大器 - SOT-23
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MMBFJ202
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
MMBFJ202 系列 40 V 4.5 mA N 沟道 通用 放大器 - SOT-23
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PMBF4393,215
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N 通道 JFET，NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
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PMBF4393@215
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23-3 |
PMBF4393@215
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SST201-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-236 |
VISHAY SST201-T1-E3 JFET Transistor, JFET, -40V, 200A, 1mA, -1.5V, TO-236, JFET
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SST201-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
VISHAY SST201-T1-E3 JFET Transistor, JFET, -40V, 200A, 1mA, -1.5V, TO-236, JFET
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SST204-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
JFET N-CH 25V 0.7mA SOT-23
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SST204-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
JFET N-CH 25V 0.7mA SOT-23
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SST204-T1-E3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-236 |
JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
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SST204-T1-E3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
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