技术参数/额定功率: 0.36 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 6 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 360 mW
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 8541900000
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Chenmko | 功能相似 | SOT-323 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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SLKOR | 功能相似 | SOT23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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Ledil | 功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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2N7002E
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Panasonic (松下) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Small Signal Field-Effect Transistor,
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BST82,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82,215, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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