技术参数/频率: 3 MHz
技术参数/额定电压(DC): -100 V
技术参数/额定电流: -25.0 A
技术参数/极性: PNP
技术参数/耗散功率: 125 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 25A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10 @15A, 4V
技术参数/额定功率(Max): 125 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 25
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 125000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TIP36C
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-218-3 |
STMICROELECTRONICS TIP36C 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 3 MHz, 125 W, 25 A, 50 hFE
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Mospec | 类似代替 | TO-247 |
STMICROELECTRONICS TIP36C 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 3 MHz, 125 W, 25 A, 50 hFE
|
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TIP36C
|
Multicomp | 类似代替 | TO-247 |
STMICROELECTRONICS TIP36C 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 3 MHz, 125 W, 25 A, 50 hFE
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TIP36CP
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-3-3 |
互补功率晶体管 Complementary power transistors
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TIP36C
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Bourns J.W. Miller (伯恩斯) | 类似代替 |
STMICROELECTRONICS TIP36C 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 3 MHz, 125 W, 25 A, 50 hFE
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