技术参数/极性: PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 25A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 10 @15A, 4V
技术参数/额定功率(Max): 125 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-3-3
外形尺寸/封装: TO-3-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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UTC (友顺) | 功能相似 | TO-3 |
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN
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![]() |
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-247-3 |
互补硅大功率管 Complementary Silicon High Power Transistors
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UTC (友顺) | 功能相似 | TO-3 |
Pnp Silicon Transistor
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