技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 3.3 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 306 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 80 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 100A |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 8400pF @40V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 306 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/长度： | 10.3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 16 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/制造应用： | Industrial, 电源管理, Power Management, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IRF1010NSTRLPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF1010NSTRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFZ44ZSPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V
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IRFZ44ZSPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRFZ44ZSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 V
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STB60NF06LT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
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