技术参数/额定功率： | 80 W |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0139 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 80 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 55 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 55 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 51A |
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技术参数/上升时间： | 68 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1420pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 41 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 80000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | 电源管理, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STB55NF06T4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB60NF06LT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
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