技术参数/漏源极电阻： | 0.03 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 1.3 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.3W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SO-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.55 mm |
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外形尺寸/封装： | SO-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Not Recommended |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI9433BDY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI4463CDY-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -20 V, 0.006 ohm, -10 V, -600 mV
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IRF7425TRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INTERNATIONAL RECTIFIER IRF7425TRPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -15A, -20V, 8-SOIC
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SO-8 |
P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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