技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.006 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 2.7 W |
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技术参数/阈值电压： | 600 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 18.6A |
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技术参数/上升时间： | 35 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 4250pF @10V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 30 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2700 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 2500 |
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其他/制造应用： | 电源管理, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI9433BDY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
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SI4463CDY-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 18.6A I(D), 20V, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
|
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IRF7425TRPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7425TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 V
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | SO-8 |
VISHAY SI9433BDY-T1-E3 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -4.5A, 8-SOIC
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