技术参数/漏源极电阻： | 0.1 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 0.75 W |
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技术参数/输入电容： | 715pF @6V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 12 V |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 715pF @6V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 750mW (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 3.04 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML6401GTRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.3A 3Pin SOT-23 T/R
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SI2315BDS-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
TRANSISTOR 3000mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal
|
||
SI2315BDS-T1-GE3
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
TRANSISTOR 3000mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal
|
||
SI2315BDS-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | SOT-23 |
TRANSISTOR 3000mA, 12V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3Pin, FET General Purpose Small Signal
|
||
SI2333CDS-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
TRANS MOSFET P-CH 12V 5.1A 3Pin SOT-23T/R
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SI2333CDS-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23-3 |
TRANS MOSFET P-CH 12V 5.1A 3Pin SOT-23T/R
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||
SI2333DS-T1-E3
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VISHAY | 类似代替 | TSOP51 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.75W
|
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SI2333DS-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOT-23-3 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.75W
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||
SI2333DS-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | TO-236 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -12V; RDS(ON) 0.025Ω; ID -4.1A; TO-236 (SOT-23); PD 0.75W
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