| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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MTP3055V
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
N沟道增强型网络场效晶体管 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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MTP3055VL
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220 |
11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
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