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型号: MTP3055VL
描述: 增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

12.0 A

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.1 Ω

 

技术参数/耗散功率:

48 W

 

技术参数/阈值电压:

1.6 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

12.0 A

 

技术参数/上升时间:

190 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

570pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

48 W

 

技术参数/下降时间:

90 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

48W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.83 mm

 

外形尺寸/高度:

16.51 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

其他/制造应用:

电机驱动与控制, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

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