技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
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技术参数/额定电流： | 200 mA |
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技术参数/输出电流： | ≤200 mA |
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技术参数/正向电压： | 500mV @200mA |
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技术参数/极性： | Standard |
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技术参数/热阻： | 635℃/W (RθJA) |
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技术参数/正向电流： | 0.2 A |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 1 A |
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技术参数/正向电流(Max)： | 0.2 A |
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技术参数/工作温度(Max)： | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 200 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | SOD-523 |
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外形尺寸/长度： | 1.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 0.8 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.6 mm |
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外形尺寸/封装： | SOD-523 |
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物理参数/工作温度： | 55℃ ~ 125℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
RB521S30
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Will Semi | 类似代替 | SOD-523 |
ON Semiconductor 二极管 RB521S30 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523F封装
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RB521S30
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOD-523 |
ON Semiconductor 二极管 RB521S30 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523F封装
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RB521S30T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOD-523 |
ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
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RB521S30T5G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOD-523 |
肖特基二极管 Schottky Barrier Diode
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RB521S30
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOD-523 |
ON Semiconductor 二极管 RB521S30 肖特基, Io=200mA, Vrev=30V, 2引脚 SOD-523F封装
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