技术参数/针脚数: | 2 |
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技术参数/正向电压: | 500mV @200mA |
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技术参数/耗散功率: | 200 mW |
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技术参数/热阻: | 500℃/W (RθJA) |
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技术参数/正向电流: | 200 mA |
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技术参数/最大正向浪涌电流(Ifsm): | 1 A |
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技术参数/正向电压(Max): | 500 mV |
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技术参数/正向电流(Max): | 0.2 A |
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技术参数/工作温度(Max): | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/工作结温: | -55℃ ~ 125℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 200 mW |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 2 |
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封装参数/封装: | SOD-523 |
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外形尺寸/长度: | 1.3 mm |
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外形尺寸/宽度: | 0.9 mm |
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外形尺寸/高度: | 0.7 mm |
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外形尺寸/封装: | SOD-523 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 125℃ |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PMEG3002AEB,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOD-523 |
Diode Schottky 30V 0.2A 2Pin SC-79 T/R
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PMEG3002AEB,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOD-523 |
Diode Schottky 30V 0.2A 2Pin SC-79 T/R
|
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RB521S-30TE61
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ROHM/罗姆 | 功能相似 | SOD523 |
ROHM RB521S-30TE61 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
|
||
RB521S-30TE61
|
ROHM | 功能相似 | SOD523 |
ROHM RB521S-30TE61 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
|
||
RB521S-30TE61
|
ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOD-523-2 |
ROHM RB521S-30TE61 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
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RB521S30
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Will Semi | 功能相似 | SOD-523 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RB521S30 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
|
||
RB521S30
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOD-523 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RB521S30 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
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RB521S30
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOD-523 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RB521S30 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
|
||
RB521S30
|
NXP | 功能相似 | N/A |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RB521S30 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
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RB521S30
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LiteOn (光宝) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RB521S30 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 125 °C
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RB521S30T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOD-523 |
ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
|
||
RB521S30T1G
|
onsemi/安森美 | 功能相似 | SOD-523 |
ON SEMICONDUCTOR RB521S30T1G 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 500 mV, 1 A, 125 °C
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