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描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Rail, Tube
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.012 Ω

 

技术参数/耗散功率:

300 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/输入电容:

4900 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/上升时间:

65 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

4900pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

300 W

 

技术参数/下降时间:

50 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

300W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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