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型号: PMGD290XN,115
描述: 双 N 通道 MOSFET,Nexperia ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
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封 装: SC-70-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

6

 

技术参数/漏源极电阻:

0.29 Ω

 

技术参数/耗散功率:

0.41 W

 

技术参数/阈值电压:

1 V

 

技术参数/输入电容:

34 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

20 V

 

技术参数/上升时间:

11 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

34pF @20V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

410 mW

 

技术参数/下降时间:

6 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

410 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

6

 

封装参数/封装:

SC-70-6

 

外形尺寸/长度:

2.2 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.35 mm

 

外形尺寸/高度:

1 mm

 

外形尺寸/封装:

SC-70-6

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, 电源管理, 便携式器材

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
SI1967DH-T1-GE3 SI1967DH-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 SC-70-6
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