技术参数/耗散功率： | 150 mW |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 40 @5mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 150 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 150 mW |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-416 |
|
外形尺寸/高度： | 0.8 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-416 |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PDTC144VE,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-416-3 |
SC-75 NPN 50V 100mA
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
NPN电阻配备晶体管; R1 = 47 kΩ的， R2 = 10 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = 10 kΩ
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DTC144EET1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-75-3 |
ON SEMICONDUCTOR DTC144EET1G 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE
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