技术参数/耗散功率： | 150 mW |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @5mA, 5V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 150 mW |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 150 mW |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | SOT-416 |
|
外形尺寸/高度： | 0.8 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOT-416 |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
|
其他/制造应用： | 车用, 电源管理, 工业 |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
PDTA114Y series; PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10KΩ, R2 = 47KΩ
|
|||
PDTA114YE,115
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-416-3 |
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单路PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm
|
||
|
|
Prisemi | 功能相似 | SOT-523 |
PDTA114Y series; PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10KΩ, R2 = 47KΩ
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价