技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 100 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 150 @250mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 700 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 150 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 700 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | TSOP-6 |
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外形尺寸/封装： | TSOP-6 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Nexperia (安世) | 类似代替 |
100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TSOP |
100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
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PBSS8110S
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SPT |
100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
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PBSS8110T
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-23 |
NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE
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Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-236AB |
NXP PBSS8110T 单晶体管 双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE
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PBSS8110T,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS8110X,135
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-89-3 |
PBSS8110X 系列 100 V 1 A 表面贴装 NPN 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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