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型号： PBSS8110T,215

描述：低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia

品牌： Nexperia (安世)

封装： SOT-23-3

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(7227) 起订量(1)

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规格参数
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技术参数/频率：	100 MHz
技术参数/额定功率：	0.3 W
技术参数/针脚数：	3
技术参数/耗散功率：	0.48 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：	100 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：	150 @250mA, 10V
技术参数/额定功率(Max)：	480 mW
技术参数/直流电流增益(hFE)：	150
技术参数/工作温度(Max)：	150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：	-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：	480 mW
封装参数/安装方式：	Surface Mount
封装参数/引脚数：	3
封装参数/封装：	SOT-23-3
外形尺寸/长度：	3 mm
外形尺寸/宽度：	1.4 mm
外形尺寸/高度：	1 mm
外形尺寸/封装：	SOT-23-3
物理参数/工作温度：	150℃ (TJ)
其他/产品生命周期：	Active
其他/包装方式：	Tape & Reel (TR)
其他/制造应用：	电机驱动与控制, 通信与网络, 消费电子产品, 电源管理, 照明, 工业, 车用
符合标准/RoHS标准：	RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：	无铅

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
BZX84-C12,215	NXP (恩智浦)	类似代替	SOT-23-3	单管二极管齐纳, 12 V, 250 mW, SOT-23, 5 %, 3 引脚, 150 °C	PDF
FMMT494TA	Diodes (美台)	功能相似	SOT-23-3	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power	PDF
FMMT624TA	Diodes Zetex (捷特科)	功能相似	SOT-23	三极管	PDF
FMMT624TA	Zetex	功能相似	SOT-23	三极管	PDF
PBSS8110S	NXP (恩智浦)	类似代替	SPT	100 V ，1 A NPN低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PDF
PBSS8110T	NXP (恩智浦)	完全替代	SOT-23	NXP PBSS8110T 单晶体管双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE	PDF
PBSS8110T	Nexperia (安世)	完全替代	TO-236AB	NXP PBSS8110T 单晶体管双极, NPN, 100 V, 300 mW, 1 A, 150 hFE	PDF