技术参数/频率： | 100 MHz |
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技术参数/极性： | PNP, P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 550 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 20 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 5A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 250 @2A, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.6 W |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 430 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2500 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-89-3 |
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外形尺寸/封装： | SOT-89-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5520X
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-89 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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2SB1386T100R
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SOT-89 |
ROHM 2SB1386T100R 单晶体管 双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE
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