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型号： PBSS5520X

描述： PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors

品牌： NXP (恩智浦)

封装： SOT-89

货期：

包装方式： Cut Tape (CT)

标准包装数： 1

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(3989) 起订量(1)

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规格参数
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技术参数/极性：	PNP
技术参数/耗散功率：	550 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：	20 V
技术参数/集电极最大允许电流：	5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：	250
技术参数/直流电流增益(hFE)：	430
技术参数/工作温度(Max)：	150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：	-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：	2.5 W
封装参数/安装方式：	Surface Mount
封装参数/引脚数：	3
封装参数/封装：	SOT-89
外形尺寸/长度：	4.6 mm
外形尺寸/宽度：	2.6 mm
外形尺寸/高度：	1.6 mm
外形尺寸/封装：	SOT-89
物理参数/工作温度：	-65℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期：	Unknown
其他/包装方式：	Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准：	RoHS Compliant
符合标准/REACH SVHC标准：	No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本：	2015/12/17

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
PBSS5520X,135	Nexperia (安世)	功能相似	SOT-89-3	SOT-89 PNP 20V 5A	PDF
2SB1386T100R	ROHM Semiconductor (罗姆半导体)	功能相似	SOT-89	ROHM 2SB1386T100R 单晶体管双极, PNP, 20 V, 120 MHz, 500 mW, 4 A, 82 hFE	PDF
PBSS5520X,135	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-89-3	SOT-89 PNP 20V 5A	PDF