技术参数/额定功率： | 1.6 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 30 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 175 @1A, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.6 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1600 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | SOT-89-3 |
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外形尺寸/封装： | SOT-89-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Discontinued at Digi-Key |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS5330X
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-89 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5330X
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-89 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5330X
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS5330X,115
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Nexperia (安世) | 完全替代 | SOT-89-3 |
PBSS5330X 系列 30 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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PBSS5330X,115
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NXP (恩智浦) | 完全替代 | SOT-89-3 |
PBSS5330X 系列 30 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-89-3
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PBSS5330X,135
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-89-3 |
SOT-89 PNP 30V 3A
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PBSS5330X,135
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-89-3 |
SOT-89 PNP 30V 3A
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PBSS5330XZ
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-89-3 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
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PBSS5330XZ
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-89-3 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PBSS5330X/MPT3/REEL 7" Q2/T3 *
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