技术参数/额定功率： | 1.2 W |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/耗散功率： | 1430 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 300 @100mA, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 750 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 180 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.45 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PBSS4350SPN
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOT-96 |
NPN/PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4350SPN
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | SOT-96 |
NPN/PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压双 NPN/PNP 双极结点晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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