技术参数/额定功率： | 0.3 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/输入电容： | 165 pF |
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技术参数/上升时间： | 6250 ns |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 400 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 10 @300mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 300 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 200 |
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技术参数/下降时间： | 2200 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 照明, 工业, 电源管理, 车用, 电机驱动与控制 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX79-C6V2
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | DO-35 |
NXP BZX79-C6V2 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
NXP BZX79-C6V2 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | DO-35 |
NXP BZX79-C6V2 单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °C
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PBHV8540T
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23 |
NXP PBHV8540T 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE
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