技术参数/额定电压(DC)： | 60.0 V |
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技术参数/额定电流： | 3.70 A |
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技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/漏源极电阻： | 100 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 3 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60.0 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 4.00 A |
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技术参数/上升时间： | 18 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 250pF @30V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.1 W |
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技术参数/下降时间： | 30 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/长度： | 6.7 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.7 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDT3055L
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
N沟道 60 V 0.1 Ohm 增强模式 场效应晶体管 - SOT-223
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STN3NF06L
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-261-4 |
STMICROELECTRONICS STN3NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 2.8 V
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-223 |
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDT3055, 4 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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