技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.07 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 3 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.6 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/上升时间： | 7.5 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 345pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.1 W |
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技术参数/下降时间： | 7 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 3000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-261-4 |
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外形尺寸/长度： | 6.5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.56 mm |
|
外形尺寸/高度： | 1.6 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 电源管理, 电机驱动与控制, 车用 |
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符合标准/RoHS标准： |
| |
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NDT3055L
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-261-4 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055L 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1.6 V
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SOT-223 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT3055 晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 60 V, 100 mohm, 10 V, 3 V
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