技术参数/频率： | 200 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | -40.0 V |
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技术参数/额定电流： | -600 mA |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/耗散功率： | 625 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 40 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 0.6A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @150mA, 2V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 300 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 625 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 20 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 625 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-92-3 |
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外形尺寸/长度： | 5.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.19 mm |
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外形尺寸/高度： | 5.33 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-92-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Ammo Pack |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N4403BU
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4403BU 单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 625 mW, -600 mA, 20 hFE
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||
2N4403G
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N4403G 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 200 hFE
|
||
2N4403RLRA
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
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2N4403TF
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-92-3 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
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2N4403TF
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
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2N4403TFR
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4403TFR 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE
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||
2N4403TFR
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N4403TFR 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 250 MHz, 625 mW, 20 hFE
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