技术参数/频率: 200 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 2V
技术参数/额定功率(Max): 625 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 20
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -50 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N4403BU
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
ON Semiconductor 2N4403BU , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:20, 200 MHz, 3引脚 TO-92封装
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2N4403G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
ON SEMICONDUCTOR 2N4403G 单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 625 mW, 600 mA, 200 hFE
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2N4403RLRA
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-92-3 |
通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistors PNP Silicon
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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2N4403_D11Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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2N4403_D81Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 3Pin TO-92 T/R
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