技术参数/漏源极电阻： | 30 mΩ |
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技术参数/极性： | P-CH |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 5A |
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技术参数/上升时间： | 12 ns |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.14 W |
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技术参数/下降时间： | 35 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | TSOP-6 |
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外形尺寸/封装： | TSOP-6 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/最小包装： | 3000 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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AO6409
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Alpha (阿尔法) | 功能相似 |
P沟 -20V -5.5A
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AO6409
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Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) | 功能相似 | TSOP-6 |
P沟 -20V -5.5A
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SI3469DV-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSOT-23-6 |
P-CH MOSFET TSOP-6 20V 30MOHM @ 10V - Tape and Reel
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SI3493DV-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSOT-23-6 |
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -20V; RDS(ON) 0.022Ω; ID -5.3A; TSOP-6; PD 1.1W; VGS +/-8V
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SI3495DV-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
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SI3495DV-T1-E3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TSOT-23-6 |
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP
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