技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/耗散功率： | 180 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 1000 V |
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技术参数/反向恢复时间： | 1.2 µs |
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技术参数/额定功率(Max)： | 180 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 180000 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-264-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-264-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not For New Designs |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FGL60N100BNTD
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-264-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGL60N100BNTD 单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚
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FGL60N100BNTDTU
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-264-3 |
IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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