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型号: HGTG30N60C3D
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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封 装: TO-247-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

600 V

 

技术参数/额定电流:

30.0 A

 

技术参数/额定功率:

208 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

208 W

 

技术参数/上升时间:

45.0 ns

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

600 V

 

技术参数/反向恢复时间:

60 ns

 

技术参数/额定功率(Max):

208 W

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

208000 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/长度:

15.87 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.82 mm

 

外形尺寸/高度:

20.82 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Not Recommended for New Designs

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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