温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: CSD18536KTTT
描述: TEXAS INSTRUMENTS CSD18536KTTT 晶体管, MOSFET, NexFET™, N沟道, 349 A, 60 V, 0.0013 ohm, 10 V, 1.8 V 新
商品二维码
封 装: TO-263-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
29.37  元 29.37元
5-49:
¥ 34.3629
50-199:
¥ 32.8944
200-499:
¥ 32.0720
500-999:
¥ 31.8665
1000-2499:
¥ 31.6609
2500-4999:
¥ 31.4259
5000-7499:
¥ 31.2791
≥7500:
¥ 31.1322
数量
5-49
50-199
200-499
500-999
1000-2499
价格
34.3629
32.8944
32.0720
31.8665
31.6609
价格 34.3629 32.8944 32.0720 31.8665 31.6609
起批量 5-49 50-199 200-499 500-999 1000-2499
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(8433) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0013 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

375 W

 

技术参数/阈值电压:

1.8 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

200A

 

技术参数/上升时间:

5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11430pF @30V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

4 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

375W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

9.25 mm

 

外形尺寸/高度:

4.7 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空