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型号: CSD18536KTT
描述: 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、D2PAK、1.6mΩ 3-DDPAK/TO-263 -55 to 175
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

375 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

200A

 

技术参数/上升时间:

5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11430pF @30V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

4 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

375W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

正在供货

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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