技术参数/耗散功率： | 1 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/上升时间： | 10 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 180pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1 W |
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技术参数/下降时间： | 6 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 540mW (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Not For New Designs |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI2308BDS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
TRANSISTOR 1900mA, 60V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236, ROHS COMPLIANT, SSOT-23, 3Pin, FET General Purpose Small Signal
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SI2308BDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 192mohm, Id 2.3A, SOT-23, Pd 1.66W
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SI2308BDS-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 192mohm, Id 2.3A, SOT-23, Pd 1.66W
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-23-3 |
MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 192mohm, Id 2.3A, SOT-23, Pd 1.66W
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-23-3 |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
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SI2308DS-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOT-23 |
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
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