技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.13 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 1.66 W |
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技术参数/阈值电压： | 1 V |
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技术参数/输入电容： | 190pF @30V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 60 V |
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技术参数/上升时间： | 16 ns |
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技术参数/热阻： | 115℃/W (RθJA) |
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技术参数/下降时间： | 17 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23 |
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外形尺寸/长度： | 3.04 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.02 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 电源管理, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML0060TRPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
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IRLML0060TRPBF
|
IFA | 功能相似 |
INFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
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IRLML0060TRPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | SOT-23-3 |
INFINEON IRLML0060TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 60 V, 0.078 ohm, 10 V, 2.5 V
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SI2308BDS-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
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SI2308BDS-T1-GE3
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Vishay Intertechnology | 功能相似 | SOT-23-3 |
VISHAY SI2308BDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 60 V, 0.13 ohm, 10 V, 3 V
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