技术参数/电源电压(DC)： | 5.00V (max) |
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技术参数/额定功率： | 0.3 W |
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技术参数/供电电流： | 1.1 mA |
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技术参数/耗散功率： | 300 mW |
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技术参数/测试频率： | 2.5 GHz |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300 mW |
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技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 5.5V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 5 VDC |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 16 |
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封装参数/封装： | VFQFN-16 |
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外形尺寸/长度： | 3.1 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.95 mm |
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外形尺寸/封装： | VFQFN-16 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | End of Life |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | RF Communications, Test & Measurement, Signal Processing |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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HMC348LP3E
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ADI (亚德诺) | 完全替代 | VFQFN-16 |
Analog Devices Hittite Analog Devices Hittite 具有一系列射频开关电路。 这些电路具有低损耗宽带、正向控制传输开关、宽带无反射 GaAs MESFET SP4T 开关和无反射 SP3T 开关。 ### 开关和多路复用器，Analog Devices
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HMC348LP3E
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ADI (亚德诺) | 完全替代 | VFQFN-16 |
Analog Devices Hittite Analog Devices Hittite 具有一系列射频开关电路。 这些电路具有低损耗宽带、正向控制传输开关、宽带无反射 GaAs MESFET SP4T 开关和无反射 SP3T 开关。 ### 开关和多路复用器，Analog Devices
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