技术参数/电源电压(DC): 5.00V (max)
技术参数/额定功率: 0.3 W
技术参数/供电电流: 1.1 mA
技术参数/耗散功率: 300 mW
技术参数/测试频率: 2.5 GHz
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300 mW
技术参数/电源电压: 4.5V ~ 5.5V
技术参数/电源电压(Max): 5 VDC
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 16
封装参数/封装: VFQFN-16
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/宽度: 3.1 mm
外形尺寸/高度: 0.95 mm
外形尺寸/封装: VFQFN-16
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃
其他/产品生命周期: End of Life
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: RF Communications, Test & Measurement, Signal Processing
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HMC348LP3E
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ADI (亚德诺) | 完全替代 | VFQFN-16 |
Analog Devices Hittite Analog Devices Hittite 具有一系列射频开关电路。 这些电路具有低损耗宽带、正向控制传输开关、宽带无反射 GaAs MESFET SP4T 开关和无反射 SP3T 开关。 ### 开关和多路复用器，Analog Devices
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HMC348LP3E
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ADI (亚德诺) | 完全替代 | VFQFN-16 |
Analog Devices Hittite Analog Devices Hittite 具有一系列射频开关电路。 这些电路具有低损耗宽带、正向控制传输开关、宽带无反射 GaAs MESFET SP4T 开关和无反射 SP3T 开关。 ### 开关和多路复用器，Analog Devices
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