技术参数/极性： | N-CH |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 67A |
|
技术参数/上升时间： | 38 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1220pF @10V(Vds) |
|
技术参数/下降时间： | 4.2 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 57000 mW |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | D2PAK-263 |
|
外形尺寸/封装： | D2PAK-263 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
|
其他/产品生命周期： | Not Recommended for New Designs |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
符合标准/RoHS标准： |
| |
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3704ZSPBF
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A，Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价