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型号: IRF3704ZSPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 60A 至 79A,Infineon Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定功率: 57 W

技术参数/通道数: 1

技术参数/漏源极电阻: 11.1 mΩ

技术参数/极性: N-CH

技术参数/耗散功率: 57 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V

技术参数/漏源击穿电压: 20 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 67A

技术参数/上升时间: 38 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 1220pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 57 W

技术参数/下降时间: 4.2 ns

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 57W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-263-3

外形尺寸/长度: 10.67 mm

外形尺寸/宽度: 9.65 mm

外形尺寸/高度: 4.83 mm

外形尺寸/封装: TO-263-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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