技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | -60.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -18.0 A |
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技术参数/上升时间： | 120 ns |
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技术参数/下降时间： | 58 ns |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDB045AN08A0
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB045AN08A0, 90 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | D2PAK-263 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Intertechnology | 完全替代 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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IRF9Z34SPBF
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
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SIHF9Z34STRL-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | D2PAK |
SIHF9Z34STRL-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 13A, 60V, 3Pin D2PAK
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