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型号: HGT1N30N60A4D
描述: 600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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封 装: SOT-227-4
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包装方式: Rail
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100-199:
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技术参数/额定电压(DC):

600 V

 

技术参数/额定电流:

96.0 A

 

技术参数/耗散功率:

255000 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

600 V

 

技术参数/额定功率(Max):

255 W

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

255000 mW

 

封装参数/安装方式:

Screw

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

SOT-227-4

 

外形尺寸/高度:

9.6 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-227-4

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Rail

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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