技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/正向电压： | 1.25 V |
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技术参数/耗散功率： | 375 mW |
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技术参数/热阻： | 330℃/W (RθJA) |
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技术参数/反向恢复时间： | 3 µs |
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技术参数/正向电流： | 215 mA |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 4 A |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.25 V |
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技术参数/正向电流(Max)： | 215 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/工作结温： | 150℃ (Max) |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 375 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | SOD-123F |
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外形尺寸/长度： | 2.7 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.2 mm |
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外形尺寸/封装： | SOD-123F |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BAS116H
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Nexperia (安世) | 类似代替 | SOD-123F |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAS116H
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Philips (飞利浦) | 类似代替 |
NXP Semiconductors ### 特点 支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器，NXP Semiconductors NXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
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BAT721C,215
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-236 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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