技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/正向电流： | 3 A |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 200 A |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/工作结温(Max)： | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-201AD |
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外形尺寸/封装： | DO-201AD |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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其他/制造应用： | 国防, 军用与航空, Aerospace, Defence, Military |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/军工级： | Yes |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5406
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
轴向引线标准恢复整流器 Axial-Lead Standard Recovery Rectifiers
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1N5406
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-201AD |
轴向引线标准恢复整流器 Axial-Lead Standard Recovery Rectifiers
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1N5406G
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Multicomp | 类似代替 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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1N5406+
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Multicomp | 类似代替 | DO-201AD |
标准恢复二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
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EIC | 类似代替 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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1N5406G
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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