技术参数/正向电压： | 1.20 V |
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技术参数/正向电流： | 3 A |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 200 A |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.2 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-201AD |
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外形尺寸/封装： | DO-201AD |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Each |
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其他/制造应用： | 电源管理, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2016/06/20 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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DIYI Electronic | 功能相似 | DO-201AD |
Diode: rectifying; 400V; 4A; 22A; 60ns
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MUR440
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-201AD-2 |
Diode: rectifying; 400V; 4A; 22A; 60ns
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MUR440
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-201 |
Diode: rectifying; 400V; 4A; 22A; 60ns
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EIC | 功能相似 |
Diode: rectifying; 400V; 4A; 22A; 60ns
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1N5406
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | DO-201AD |
MULTICOMP 1N5406 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.2 V, 200 A
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1N5406
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 类似代替 | DO-201AD |
MULTICOMP 1N5406 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.2 V, 200 A
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1N5406G
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Multicomp | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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1N5406+
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Multicomp | 完全替代 | DO-201AD |
标准恢复二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.2 V, 200 A
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Rectron | 功能相似 | DO-201AD |
Diodes Inc 1N5406-T 开关二极管, 2引脚 DO-201AD封装
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EIC | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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1N5406-E3/54
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-201AD |
VISHAY 1N5406-E3/54 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.2 V, 200 A
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1N5406G
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-201AD |
ON SEMICONDUCTOR 1N5406G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1 V, 200 A
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Galaxy Semi-Conductor | 功能相似 |
3A Ultra Fast Recovery Rectifier
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