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型号: IRF1310NPBF
描述: N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A,Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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¥ 5.7105
25-49:
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技术参数/额定功率:

160 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.036 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

170 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

42A

 

技术参数/上升时间:

56 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1900pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

160 W

 

技术参数/下降时间:

40 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

160W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.54 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.69 mm

 

外形尺寸/高度:

8.77 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Power Management, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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