技术参数/额定功率： | 160 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.018 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 160 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/输入电容： | 2900 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 59A |
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技术参数/上升时间： | 77 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2900pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 160 W |
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技术参数/下降时间： | 56 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 160W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.54 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.69 mm |
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外形尺寸/高度： | 8.77 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Power Management, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1310NPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
N 通道功率 MOSFET 40A 至 49A，Infineon Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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STP40NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
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STP80NF12
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
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